文献类型：期刊文献

中文题名：硫化退火温度对金属三靶顺序溅射CZTS薄膜性能的影响

英文题名：Effect of Annealing Temperature on Performance of CZTS Thin Films Prepared via Metal Targets Sequential Sputtering Followed by Sulfuration Technology

作者：刘仪柯 张坤 唐雅琴 蒋良兴 刘芳洋 赖延清

第一作者：刘仪柯

机构：[1]贵州理工学院材料与冶金工程学院;[2]中南大学冶金与环境学院;[3]贵州省轻金属材料制备技术重点实验室;[4]格林美股份有限公司

第一机构：贵州理工学院材料与冶金工程学院

年份：2018

卷号：0

期号：1

起止页码：69-72

中文期刊名：有色金属：冶炼部分

收录：CSTPCD;;北大核心:【北大核心2017】；

基金：国家自然科学基金资助项目(51674298;51272292;51604088);贵州省科技合作计划项目(黔科合LH字[2015]7091);贵州省科技计划项目(黔科合LH字[2017]1064)

语种：中文

中文关键词：硫化退火;退火温度;铜锌锡硫薄膜;结晶性能

外文关键词：sulfide annealing; annealing temperature; CZTS film; crystallization property

摘要：通过XRD及Raman物相分析、SEM形貌观察和EDS成分分析等方法研究了硫化退火温度对金属三靶顺序溅射铜锌锡硫(CZTS)薄膜性能的影响。结果表明,在一定温度范围内(500~580℃),随着温度的升高薄膜的结晶性能有变好的趋势,形貌也得到了改善。当温度达到600℃时,CZTS薄膜会发生分解反应,该分解反应不但导致薄膜结晶性能及形貌恶化,也造成了锡元素的损失。580℃条件下获得的薄膜各项性能俱佳,是最适合本实验体系的退火温度。
The effects of temperature of sulfide annealing on properties of CZTS thin films based on sequential sputtering from three metal targets were systematically studied by XRD,Raman,SEM,and EDS.The results show that crystallization and morphology of film are enhanced with increase of annealing temperature from 500 ℃ to 580 ℃,but decomposition reaction of CZTS film occurs at 600 ℃,which not only deteriorates crystallization and morphology of film,but also cause losing of Sn element.The optimum sulfide annealing temperature is 580 ℃.