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一种低强度磁场下制备高硅硅钢薄带的方法及装置
文献类型:专利
中文题名:一种低强度磁场下制备高硅硅钢薄带的方法及装置
第一作者:龙琼
机构:[1]贵州理工学院;
第一机构:贵州理工学院
专利类型:发明专利
申请号:CN201710300505.3
申请日:20170502
申请人地址:550003 贵州省贵阳市蔡家关
公开日:20181113
代理人:刘楠
代理机构:52100 贵阳中新专利商标事务所
语种:中文
中文关键词:高硅硅钢;复合电镀技术;硅钢片表面;热处理工艺;常温下;近终型;静磁场;脉冲;薄带;带材;镀层;高硅;制备
年份:2018
摘要:本发明公开了一该方法利用静磁场脉冲复合电镀技术在低硅钢片表面获得高硅镀层,然后经过热处理工艺来获得硅含量为6.5wt%Si的高硅硅钢薄带,本发明操作简单,可以常温下实现增硅操作,成本低廉,并且可以制备近终型高硅硅钢带材。
参考文献:
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