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管式PECVD增强气相沉积微晶硅的制备方法
文献类型:专利
中文题名:管式PECVD增强气相沉积微晶硅的制备方法
作者:韦德举 唐安江 王伟 唐石云 郭俊江 陈丽军 李忠 张妙鹤 蒋东海 李雪梅
第一作者:韦德举
机构:[1]贵州理工学院;
第一机构:贵州理工学院
专利类型:发明专利
申请号:CN202210094985.3
申请日:20220126
申请人地址:550003 贵州省贵阳市云岩区蔡家关路1号
公开日:20220816
代理人:邓爱军
代理机构:深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙)
语种:中文
中文关键词:气相沉积;四氟化硅;微晶硅;磷矿;脱氧;伴生;加热炉;高真空石英管;四氟化硅气体;等离子功率;混合气体;碱液吸收;氢气;保护气;氟化氢;种管;制备;洗涤;氧气
年份:2022
摘要:本发明公开了一种管式PECVD增强气相沉积制备微晶硅的工艺,将四氟化硅、氢气、保护气,通过脱氧管,除去其中的氧气。脱氧后的混合气体通入高真空石英管,在等离子功率50?400W,加热炉温度100?600度下,气相沉积得到微晶硅,产生的氟化氢、剩余四氟化硅气体通过碱液吸收洗涤。本发明利用磷矿伴生资源四氟化硅为原料,将大大提升磷矿伴生资源的有效利用,减少资源浪费。
参考文献:
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