文献类型：专利

中文题名：一种无金属催化剂合成硅纳米线的方法

作者：唐石云 唐安江 韦德举 郭俊江 陈丽军

第一作者：唐石云

机构：[1]贵州理工学院;

第一机构：贵州理工学院

专利类型：发明专利

申请号：CN202410367576.5

申请日：20240328

申请人地址：550003 贵州省贵阳市云岩区贵工路1号

公开日：20240614

代理人：何丹

代理机构：贵州派腾知识产权代理有限公司

语种：中文

中文关键词：硅纳米线;惰性气体保护;纳米材料制备;无金属催化剂;管式炉炉管;规模化生产;硅衬底表面;合成硅纳米;尺寸均一;获得高产;冷凝回收;炉温恒定;设备要求;单质硅;低成本;恒温区;可重复;水蒸汽;常压;衬底;放入;通气;尾气;生长

年份：2024

摘要：本发明属于纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种无金属催化剂合成硅纳米线的方法，包括如下步骤：(1)将单质硅衬底放入管式炉炉管中部的恒温区，在常压、惰性气体保护下升温至硅纳米线的生长温度；(2)待炉温恒定后，同时通入SiF₄气体和水蒸汽，至少反应15min，停止通气，在惰性其他保护下降温至室温，然后在硅衬底表面即可获得大量的硅纳米线，尾气通过冷凝回收后可重复利用。本发明方法具有低成本、设备要求低、方法简单、易于规模化生产的特点，能够在较短的反应时间内获得高产率、尺寸均一的硅纳米线。