文献类型：专利

中文题名：一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法

作者：唐石云 唐安江 李忠 韦德举 郭俊江 陈丽军

第一作者：唐石云

机构：[1]贵州理工学院;

第一机构：贵州理工学院

专利类型：发明专利

申请号：CN202210076267.3

申请日：20220124

申请人地址：550003 贵州省贵阳市云岩区蔡家关路1号

公开日：20220426

代理人：邓爱军

代理机构：深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：四氟化硅气体;管式炉;载气;双温区管式炉;氟化硅;硅薄膜;衬底;程序降温;程序升温;恒温区域;歧化反应;四氟化硅;原料制备;硅颗粒;恒温区;吹扫;副产;气路;制备;磷肥;取出;检测

年份：2022

摘要：本发明公开了一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法。该方法步骤为：(1)取硅颗粒与衬底分别放置于双温区管式炉的左右两端恒温区域内，设置管式炉恒温区的最终温度和升温速率；(2)连接好管式炉与气路部分，并通入载气，同时管式炉开始程序升温；(3)达到设置温度后，关闭载气，打开四氟化硅气体进行反应；(4)反应结束后，关闭四氟化硅气体，打开载气进行吹扫，且双温区管式炉程序降温；(5)降至室温后，取出样品衬底进行检测表征。本发明是一种能有效利用磷肥副产四氟化硅气体生成中间体二氟化硅，然后二氟化硅发生歧化反应制备硅薄膜的工艺方法。