文献类型：专利

中文题名：一种原位制备氧化锑薄膜的方法

作者：刘仪柯 蒋良兴 汪颖 刘芳洋 唐雅琴 伍玉娇

第一作者：刘仪柯

机构：[1]贵州理工学院;[2]中南大学;

第一机构：贵州理工学院

专利类型：发明专利

申请号：CN201710157144.1

申请日：20170316

申请人地址：550003 贵州省贵阳市云岩区蔡关路1号

公开日：20170630

代理人：张梅

代理机构：11362 北京联创佳为专利事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：氧化锑;前驱体薄膜;原位制备;成膜;焙烧;表面活性剂;不规则表面;前驱体溶液;基片表面;平整表面;氢氧化钠;三氯化锑;三乙醇胺;原位生成;均一性;浸没;常压;衬底;催化剂;薄膜;能耗;生长;应用

年份：2017

摘要：本发明公开了一种原位制备氧化锑薄膜的方法，是将基片浸没于三氯化锑、三乙醇胺和氢氧化钠配成的前驱体溶液中，使基片表面原位生成氧化锑前驱体薄膜，而后将氧化锑前驱体薄膜干燥，焙烧，即得。本发明在低温常压、不添加任何表面活性剂或催化剂的条件下，可在衬底上原位制备氧化锑。且本发明方法具有设备简单，生长速率快，在平整表面和不规则表面均能大面积成膜的优点，因而能耗低，成膜均一性好，易于实现工业化，具有良好的应用前景。